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RQ1E100XN

4V Drive Nch MOSFET

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ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RQ1E100XN

4V Drive Nch MOSFET; ?4V驅(qū)動(dòng)型 Nch 中功率MOSFET;

電界効果晶體管的MOSFET。提供通過采用細(xì)微流程的「針對(duì)通信產(chǎn)品的超低阻值的設(shè)備」而產(chǎn)生的節(jié)能的功率MOSFET，并且結(jié)合用途，以多樣的小型高功率復(fù)合型的產(chǎn)品線對(duì)應(yīng)多種市場(chǎng)需求。

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SC1E100KC

CHIPTYPE,LOWLEAKAGECURRENT

DBLECTRODB Lectro Inc

迪貝電子

SC1E100KR

CHIPTYPE,LOWLEAKAGECURRENT

DBLECTRODB Lectro Inc

迪貝電子

SC1E100KT

CHIPTYPE,LOWLEAKAGECURRENT

DBLECTRODB Lectro Inc

迪貝電子

技術(shù)參數(shù)

  • 封裝：

    TSMT8

  • 包裝數(shù)量：

    3000

  • 最小獨(dú)立包裝數(shù)量：

    3000

  • 包裝形態(tài)：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Package Code：

    TSMT8

  • Applications：

    Switching

  • Number of terminal：

    8

  • Polarity：

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]：

    30

  • Drain Current ID[A]：

    10

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：

    0.01

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：

    0.0095

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：

    0.0075

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：

    0.01

  • Total gate charge Qg[nC]：

    12.7

  • Power Dissipation (PD)[W]：

    1.5

  • Drive Voltage[V]：

    4

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

  • Package Size [mm]：

    3x2.8 (t=0.85)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ROHM
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TSMT8
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ROHM/羅姆
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ROHM/羅姆
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更多RQ1E100XN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 14:58:00

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