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RN1314分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN1314
廠商型號

RN1314

參數(shù)屬性

RN1314 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW F 2

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

271.08 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-17 20:00:00

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RN1314規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

? With built-in bias resistors

? Simplify circuit design

? Reduce a quantity of parts and manufacturing process

? Complementary to RN2314~RN2318

產品屬性

  • 產品編號:

    RN1314,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    USM

  • 描述:

    PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW F 2

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