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RMLV0808BGSB-4S2集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

RMLV0808BGSB-4S2
廠商型號

RMLV0808BGSB-4S2

參數(shù)屬性

RMLV0808BGSB-4S2 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

8Mb Advanced LPSRAM (1024k word × 8bit)

封裝外殼

44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

323.22 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-26 22:59:00

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RMLV0808BGSB-4S2規(guī)格書詳情

Description

The RMLV0808BGSB is a family of 8-Mbit static RAMs organized 1,048,576-word × 8-bit, fabricated by Renesas’s

high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0808BGSB has realized higher density, higher

performance and low power consumption. The RMLV0808BGSB offers low power standby power dissipation;

therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 44pin TSOP (II).

Features

? Single 3V supply: 2.4V to 3.6V

? Access time:

── Power supply voltage from 2.7V to 3.6V: 45ns (max.)

── Power supply voltage from 2.4V to 2.7V: 55ns (max.)

? Current consumption:

── Standby: 0.45μA (typ.)

? Equal access and cycle times

? Common data input and output

── Three state output

? Directly TTL compatible

── All inputs and outputs

? Battery backup operation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RMLV0808BGSB-4S2#HA0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM

  • 存儲容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    45ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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