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R6008FNX

10V Drive Nch MOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6008FNX

10V Drive Nch MOSFET; ?4V驅(qū)動型 Nch 小信號MOSFET;

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RJQ6008BDPM

600V-6A-IGBTPowerSwitching

Features ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.8Vtyp.(atIC=20A,VGE=15V,Tc=25?C) ?Qualitygrade:Standard ?Highspeedswitching ?Applications:PFC

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJQ6008DPM

600V-10A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=2.65Vtyp.(IC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

S6008D

SCRs

GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga

Teccor

Teccor Electronics

技術(shù)參數(shù)

  • Status：

    新設(shè)計非推薦

  • 封裝：

    TO-220FM

  • 包裝數(shù)量：

    500

  • 最小獨立包裝數(shù)量：

    500

  • 包裝形態(tài)：

    Bulk

  • RoHS：

    Yes

  • Grade：

    Standard

  • Package Code：

    TO-220FM

  • Package Size[mm]：

    15.1x10.1 (t=4.6)

  • Applications：

    Motor

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]：

    600

  • Drain Current ID[A]：

    8.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：

    0.73

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：

    0.73

  • Total gate charge Qg[nC]：

    20.0

  • Power Dissipation (PD)[W]：

    50.0

  • Drive Voltage[V]：

    10.0

  • Trr (Typ.)[ns]：

    67

  • Mounting Style：

    Leaded type

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多R6008FNX供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 15:46:00

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