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RD3.3E

500mWPLANARTYPESILICONZENERDIODES

TheRD2.0EtoRD120Earezenerdiodeswithanallowabledissipationof500mWandaplanartypeglasssealedDHD(doubleheatsinkdiode)structure. FEATURES ?Thezenervoltageserieshasawidevoltagerangeof2Vto120Vandisidealforstandardization. ?TheE24seriesisemployedforthe

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

RD3.3EAB

400mWDHDZENERDIODEDO-34

[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

RD3.3EB

500mWDHDZENERDIODEDO-35

DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund

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RD3.3ES

400mWDHDZENERDIODEDO-34

[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

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RD3.3ES

ZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

RD3.3F

ZENERDIODES1WDO-41GLASSSEALEDPACKAGE

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

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RD3.3F

ZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

RD3.3FM

ZENERDIODES

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RD3.3FM

ZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

RD3.3FM

1W3.3VZenerdiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導體股份有限公司

PDF上傳者：深圳冠榮電子有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PZM3.3NB

  • 功能描述：

    穩(wěn)壓二極管 PZM3.3NB/SOT346/REEL7//

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 齊納電壓：

    12 V

  • 電壓容差：

    5 %

  • 電壓溫度系數(shù)：

    0.075 %/K

  • 功率耗散：

    3 W

  • 最大反向漏泄電流：

    3 uA

  • 最大齊納阻抗：

    7 Ohms

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DO-214AC

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PZM3.3NB供應(yīng)商 更新時間2025-7-16 17:38:00

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