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PUMD30

Marking:B3;Package:SC-88;NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open

Features *100mAoutputcurrentcapability *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PUMD30

Marking:B3;Package:TSSOP6;50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open

1.Generaldescription NPN/PNPdoubleResistor-EquippedTransistor(RET)inaverysmallSOT363(SC-88)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PUMH30 PNP/PNPcomplement:PUMB30 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistor

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PUMD30

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    PUMD30

  • 功能描述:

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性:

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作頻率:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封裝:

    Reel

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更多PUMD30供應(yīng)商 更新時間2025-6-23 22:59:00