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PSMN2R2-30YLC中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PSMN2R2-30YLC
廠商型號(hào)

PSMN2R2-30YLC

功能描述

N-channel 30 V 2.15mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology

絲印標(biāo)識(shí)

2C230L

封裝外殼

SOT669

文件大小

934.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-7 14:45:00

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PSMN2R2-30YLC規(guī)格書詳情

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High reliability Power SO8 package,

qualified to 175°C

Low parasitic inductance and

resistance

Optimised for 4.5V Gate drive utilising

NextPower Superjunction technology

Ultra low QG, QGD, and QOSS for

high system efficiencies at low and

high loads

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Power OR-ing

Server power supplies

Sync rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PSMN2R2-30YLC

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 2.15mOhms

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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