PMDPB85UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	PMDPB85UPE
功能描述	20 V dual P-channel Trench MOSFET
絲印標識	2C
封裝外殼	SOT1118
文件大小	1.47554 Mbytes
頁面數(shù)量	15 頁
生產(chǎn)廠商	Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱	NEXPERIA【安世】
中文名稱	安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-7-21 11:22:00
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1.1 General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD)

protection

1.3 Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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