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PMDPB58UPE

Marking：2A；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching

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安世安世半導體(中國)有限公司

PMDPB58UPE_15

20 V dual P-channel Trench MOSFET

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多PMDPB58UPE供應商 更新時間2025-7-8 23:00:00

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