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PMCXB900UE

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/10/marking.html">10；Package：SOT1216；20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription ComplementaryN/P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessultrasmallDFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Verylowthreshold

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMCXB900UE

20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET; ? Trench MOSFET technology\n? Very low threshold voltage for portable applications: VGS(th) = 0.7 V\n? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM\n;

Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMCXB900UE

20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET

ETC

ETC

PMCXB900UEL

20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET; ? Low leakage current\n? Trench MOSFET technology\n? Very low threshold voltage for portable applications: VGS(th) = 0.7 V\n? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1kVHBM\n;

Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMCXB900UE_15

20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PMCXB900UEL

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/b110/marking.html">B110；Package：DFN1010B-6；20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    DFN1010B-6

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    N/P

  • Nr of transistors：

    2

  • VDS [max] (V)：

    20

  • VGS [max] (V)：

    8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    620

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    850

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • VESD HBM (V)：

    1000

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    0.6

  • QGD [typ] (nC)：

    0.1

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    0.4

  • Ptot [max] (W)：

    0.265

  • VGSth [typ] (V)：

    0.7

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    21.3

  • Coss [typ] (pF)：

    5.4

  • Release date：

    2013-10-07

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
恩XP
23+
DFN6
6800
原裝正品,支持實(shí)單
 詢價(jià)
NEXPERIA
23+
SOT1216
51000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NEXPERIA
1809+
DFN-6
3675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
恩XP
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價(jià)
恩XP
23+
DFN6
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
恩XP
22+
NA
45000
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
恩XP
22+
6DFN (1.1x1)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
恩XP
21+
6000
只做原裝正品,賣元器件不賺錢(qián)交個(gè)朋友
 詢價(jià)
恩XP
23+
6DFN (1.1x1)
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
恩XP
23+
NA
6000
原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
更多PMCXB900UE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 21:56:00

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