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SWD50N06A

N-channelMOSFET(TO-251,TO-252)

GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN. ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitab

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

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