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SIHU3N50DA

DSeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SSFP3N50

StarMOSTPowerMOSFET

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

STP3N50XI

N-CHANNELenhancementmodepowermostransistor

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=2.5? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

SVF3N50D

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

T3N50

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

U3N50

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

VSSAF3N50

Surface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof0.95mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialcategorization:fordefinitionso

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSSAF3N50

Idealforautomatedplacement

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多PHP3N50E供應(yīng)商 更新時間2025-5-19 10:00:00