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PHP23NQ15T

N-channel TrenchMOS transistor

VDSS=150V ID=23A RDS(ON)≤90m? GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchin

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP23NQ15T

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PHB23NQ15T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PHB23NQ15T

N-channelTrenchMOStransistor

VDSS=150V ID=23A RDS(ON)≤90m? GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchin

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更多PHP23NQ15T供應商 更新時間2025-7-8 16:08:00

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