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PHP125N06T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PHP125N06T
廠商型號(hào)

PHP125N06T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

63.64 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-9 22:59:00

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PHP125N06T規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

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