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PHKD6N02LT

Dual N-channel TrenchMOS logic level FET

1.1Generaldescription DuallogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PHKD6N02LT

Dual TrenchMOS logic level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

G6N02L

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG6N02Lusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

MMDF6N02HD

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMDF6N02HD

DUALTMOSPOWERMOSFET6.0AMPERES20VOLTS

DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualHDTMOSdevicesaredesignedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplication

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

WFY6N02

20VN??hannelMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PHKD6N02LT

  • 功能描述：

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
恩XP
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PHI
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詢價
更多PHKD6N02LT供應(yīng)商 更新時間2025-7-15 22:59:00

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