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PHB193NQ06T中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHB193NQ06T
廠商型號

PHB193NQ06T
功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor
文件大小

344.79 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-13 9:09:00
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PHB193NQ06T規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 4.0mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    PHB193NQ06T

  • 功能描述：

    MOSFET TRENCHMOS(TM) FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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