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PHB119NQ06T_PHOENIX/菲尼克斯電氣_MOSFET TRENCHMOS(TM)FET一線半導體3部

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  • 廠家型號：

    PHB119NQ06T

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PH

  • 庫存數(shù)量：

    8866

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT404TO-263D2PAK

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-7-24 15:30:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：PHB119NQ06T品牌：PH

  • 芯片型號：

    PHB119NQ06T

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大小：

    191.06 kb

  • 資料說明：

    N-channel TrenchMOS standard level FET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    PHB119NQ06T

  • 功能描述：

    MOSFET TRENCHMOS(TM)FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導體有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    云小姐/廖小姐

  • 手機：

    19168775913

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    0755-83789203 18165726413

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    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號華強花園C座7A

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