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PDTD113EQA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTD113EQA
廠商型號

PDTD113EQA
參數(shù)屬性

PDTD113EQA 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3
功能描述

50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors
絲印標(biāo)識

010011
封裝外殼

DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盤
文件大小

2.34705 Mbytes
頁面數(shù)量

24 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-7 16:29:00
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PDTD113EQA規(guī)格書詳情

Features and benefits

? 500 mA output current capability

? Built-in bias resistors

? ? 10 resistor ratio tolerance

? Simplifies circuit design

? Reduces component count

? Reduced pick and place costs

? Low package height of 0.37 mm

? Suitable for Automatic Optical

Inspection (AOI) of solder joint

? AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PDTD113EQAZ

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    33 @ 50mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    100mV @ 2.5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DFN1010D-3

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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