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PDTC144VMB

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/00111110/marking.html">00111110；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 10 k廓

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA144VMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC144VMB_15

NPN resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 10 k廓

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PDTC144VMB,315

Package：3-XFDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

ETC

ETC

PDTC144VS

NPNresistor-equippedtransistors;R1=47kΩ,R2=10kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC144VS

PNPresistor-equippedtransistors;R1=47kW,R2=10kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多PDTC144VMB供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 15:01:00

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