PBSS5140T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PBSS5140T |
參數(shù)屬性 | PBSS5140T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 1A TO236AB |
功能描述 | 40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
106.93 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | 未知制造商 |
企業(yè)簡稱 |
恩XP |
中文名稱 | 未知制造商 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-23 17:01:00 |
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PBSS5140T規(guī)格書詳情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
Applications
■ General-purpose switching and muting
■ LCD backlighting
■ Supply line switching circuits
■ Battery-driven equipment (mobile phones, video cameras and handheld devices)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PBSS5140T/ZLR
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 100mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
150MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 40V 1A TO236AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
21+ |
SOT-23 |
35590 |
優(yōu)勢供應(yīng) 實單必成 可開13點增值稅 |
詢價 | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
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恩XP |
17+ |
SOT-23 |
6200 |
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SOT23 |
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SOT-23 |
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恩XP |
24+ |
SOT23-3 |
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恩XP |
24+ |
SOT23 |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
90000 |
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恩XP |
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12000 |
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恩XP |
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SOT23 |
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