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PBSS4420D分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS4420D
廠商型號

PBSS4420D
參數屬性

PBSS4420D 封裝/外殼為SC-74，SOT-457；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 20V 4A 6TSOP
功能描述

20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
封裝外殼

SC-74，SOT-457
文件大小

117.83 Kbytes
頁面數量

16 頁
生產廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦
數據手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-6-21 20:00:00
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PBSS4420D規(guī)格書詳情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) SMD plastic package.

PNP complement: PBSS5420D.

Features

■ Very low collector-emitter saturation resistance

■ Ultra low collector-emitter saturation voltage

■ 4 A continuous collector current

■ Up to 15 A peak current

■ High efficiency due to less heat generation

Applications

■ Power management functions

■ Charging circuits

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Power switches (e.g. motors, fans)

■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

產品屬性

  • 產品編號：

    PBSS4420D,115

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.1V @ 400mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    250 @ 2A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-74，SOT-457

  • 供應商器件封裝：

    6-TSOP

  • 描述：

    TRANS NPN 20V 4A 6TSOP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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