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PBSS4350S

50 V low VCEsat NPN transistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350S. FEATURES ?Highpowerdissipation(830mW) ?Ultralowcollector-emittersaturationvoltage ?3Acontinuouscurrent ?Highcurrentswitching ?Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenerat

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4350SPN

50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4350SPN

Marking：4350SPN；Package：SO8；50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4350SS

50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4350SS

Marking：4350SS；Package：SO8；50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS4350SPN_15

50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4350SA_R1_00001

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 50V 3A SC59

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PBSS4350S

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS BISS AMMO LARGE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
PHI
05+
原廠原裝
50051
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
 詢價
ph
24+
N/A
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
 詢價
PHI
18+
PHILIPS
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
NEXPERIA/安世
22+
SOT54
18000
原裝正品
 詢價
ph
2023+
原廠封裝
50000
原裝現(xiàn)貨
 詢價
NEXPERIA/安世
25+
SOT54
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
恩XP
24+
40000
詢價
PHI
2020+
SOP8
440
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
Nexperia
24+
NA
3728
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
恩XP
24+
SOP-8
25000
一級專營品牌全新原裝熱賣
 詢價
更多PBSS4350S供應商 更新時間2025-7-6 9:17:00

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