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PBSS4140T分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS4140T
廠商型號

PBSS4140T

參數(shù)屬性

PBSS4140T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 40V 1A TO236AB

功能描述

40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

68.63 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-9 22:59:00

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PBSS4140T規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.

PNP complement: PBSS5140T.

FEATURES

? Low collector-emitter saturation voltage

? High current capabilities.

? Improved device reliability due to reduced heat generation.

APPLICATIONS

? General purpose switching and muting

? LCD backlighting

? Supply line switching circuits

? Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS4140T,235

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 1A TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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