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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIV)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=60m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.9S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?30V) ?Enhancementmodel:Vth=?0.8to?2.0V,(VDS=?10V,ID=?1

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更多PAM8304AYR供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 10:06:00

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