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P30N10

N-channel 100 V, 0.02 廓 typ., 32 A STripFET??F7 Power MOSFET in a TO-220 package

Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizes STripFET?F7technologywithanenhanced trenchgatestructurethatresultsinverylowonstateresistance,whilealsoreducinginternal capacitanceandgatechargeforfasterandmore efficientswitching. Features ?AmongthelowestRDS(o

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STB30N10

N-CHANNEL100V-0.06ohm-30A-D2PAKPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNEL100V-0.06?-30A-D2PAKPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.06? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWGATECHARGE ■VERYHIGHCURRENTCAPABILITY ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■SURFACE-MOUNTINGD2PAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD30N10

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

STU30N10

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

UTT30N10

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

UTT30N10

30A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

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更多P30N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-8 16:30:00

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