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NXH80B120MNQ0SNG分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NXH80B120MNQ0SNG |
| 參數(shù)屬性 | NXH80B120MNQ0SNG 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊；產品描述：PIM POWER MODULE |
| 功能描述 | Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | Q0BOOST / 模塊 |
| 文件大小 |
679.76 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-6-29 16:20:00 |
| 人工找貨 | NXH80B120MNQ0SNG價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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NXH80B120MNQ0SNG規(guī)格書詳情
NXH80B120MNQ0SNG屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產的NXH80B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
The NXH80B120MNQ0SNG is a power module containing a dual
boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide
lower conduction losses and switching losses, enabling designers to
achieve high efficiency and superior reliability.
Features
? 1200 V 80 m SiC MOSFETs
? Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes
? 1600 V Bypass and Anti?parallel Diodes
? Low Inductive Layout
? Solderable Pins
? Thermistor
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Typical Applications
? Solar Inverters
? Uninterruptable Power Supplies
產品屬性
更多- 產品編號：
NXH80B120MNQ0SNG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
雙路升壓斬波器
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應商器件封裝：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 描述：
PIM POWER MODULE
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
4500 |
全新、原裝 |
詢價 | ||
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40 |
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onsemi |
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模塊 |
30000 |
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