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NVD5890N

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?MSL1/260°C ?AECQ101QualifiedandPPAPCapable ?100AvalancheTested ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications ?MotorDrivers ?PumpDriversforAutomotiveBraking,SteeringandOther

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NVD5890N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·PowerSupplies ·InductiveLoads ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NVD5890N

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK

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安森美半導體安森美半導體公司

NVD5890NL

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NVD5890NL

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·PowerSupplies ·InductiveLoads ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NVD5890NT4G

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?MSL1/260°C ?AECQ101QualifiedandPPAPCapable ?100AvalancheTested ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications ?MotorDrivers ?PumpDriversforAutomotiveBraking,SteeringandOther

ONSEMION Semiconductor

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NVD5890NT4G-VF01

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?MSL1/260°C ?AECQ101QualifiedandPPAPCapable ?100AvalancheTested ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications ?MotorDrivers ?PumpDriversforAutomotiveBraking,SteeringandOther

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NVD5890NL

Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NVD5890NLT4G

Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK

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安森美半導體安森美半導體公司

NVD5890NT4G

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK

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詳細參數

  • 型號：

    NVD5890N

  • 功能描述：

    MOSFET 40V T2 DPAK USR GRESHAM F

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
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TO-252
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免費送樣原盒原包現貨一手渠道聯(lián)系
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更多NVD5890N供應商 更新時間2025-5-28 15:14:00

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