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NTMS4916NR2G中文資料友臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTMS4916NR2G
廠商型號

NTMS4916NR2G

功能描述

30V N-Channel MOSFET

絲印標識

4916N

封裝外殼

SOP-8

文件大小

404.05 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-23 13:44:00

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NTMS4916NR2G規(guī)格書詳情

Features

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low Capacitance to Minimize Driver Losses

? Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

? Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and

are RoHS Compliant

(VGS = 10V)





VDS (V) =30V

ID = 11.6 A

 RDS(ON) < 9 mΩ(VGS=10V)

 RDS (O N) < 12 mΩ(VGS=4.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTMS4916NR2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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