NTH4L020N090SC1中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NTH4L020N090SC1
功能描述	Silicon Carbide SiC MOSFET - 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L
絲印標識	H4L020090SC1
封裝外殼	TO247-4L
文件大小	331.89 Kbytes
頁面數(shù)量	8 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡稱	ONSEMI【安森美半導體】
中文名稱	安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-6-25 10:28:00
人工找貨	NTH4L020N090SC1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

Features

? Typ. RDS(on) = 20 m @ VGS = 15 V

Typ. RDS(on) = 16 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 196 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Coss = 296 pF)

? 100 UIL Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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