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UPA1715

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–6.0A) RDS(on)3=12.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–6.0A) ·LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ·Built-inG-Sprotect

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA1715G

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–6.0A) RDS(on)3=12.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–6.0A) ·LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ·Built-inG-Sprotect

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UPA1715G

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=8.5m?TYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0m?TYP.(VGS=–4.5

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多NT1715A-HQCBB供應(yīng)商 更新時間2025-7-7 15:05:00

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