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NSV2SA2029M3T5G

PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NSV2SA2029M3T5G

PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NSV2SA2029M3T5G

Package:SOT-723;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2SA2029M3T5G

PNPSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor

ONSEMION Semiconductor

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2SA2029M3T5G

PNPSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor

ONSEMION Semiconductor

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2SA2029M3T5G

PNPSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor

ThisPNPtransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSOT?723packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features ?ReducesBoardSpace ?HighhFE,210?460(Typical) ?LowVCE(sat),

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安森美半導體安森美半導體公司

產品屬性

  • 產品編號:

    NSV2SA2029M3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500pA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,6V

  • 頻率 - 躍遷:

    140MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應商器件封裝:

    SOT-723

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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