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NSS30100LT1G_ONSEMI/安森美半導體_兩極晶體管 - BJT 2A 30V Low VCEsat毅創(chuàng)騰電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NSS30100LT1G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 2A 30V Low VCEsat
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應商
- 企業(yè):
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
華琦
- 手機:
13725570869
- 詢價:
- 電話:
86-755-83616256/83210909
- 傳真:
86-755-83231283
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北路現(xiàn)代之窗大廈B座18I室
相近型號
- NSS20601CF8T1G
- NSS3010LT1G
- NSS20601CF8
- NSS20600CF8T1G
- NSS30201MR6T1
- NSS20501UW3TBG
- NSS30201MR6T1G
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- NSS40300DDR2GIC
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