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NSBC113EDXV6T1G__TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563納立科技

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  • 廠家型號：

    NSBC113EDXV6T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    1983

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號：

    三年內(nèi)

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-6-23 11:08:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：NSBC113EDXV6T1G

只做原裝正品

  • 芯片型號：

    NSBC113EDXV6T1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    145.21 kb

  • 資料說明：

    Dual NPN Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NSBC113EDXV6T1G

  • 功能描述：

    TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    3,000

  • 晶體管類型：

    1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    70mA，100mA 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    50V 電阻器 -

  • 基極(R1)（歐）：

    47k，2.2k 電阻器 -

  • 發(fā)射極(R2)（歐）：

    47k 在某 Ic、Vce

  • 時的最小直流電流增益(hFE)：

    70 @ 5mA，5V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：

    300mV @ 500µA，10mA 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    - 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換：

    100MHz，200MHz 功率 -

  • 最大：

    250mW

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PG-SOT363-6

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 其它名稱：

    SP000784046

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市納立科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機：

    13590203865

  • 詢價：
  • 電話：

    13590203865/0755-88606580

  • 傳真：

    0755-88606580

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北振興路賽格科技園四棟中12樓A4-2M室

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