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NP50P04KDG-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
NP50P04KDG-E1-AY |
功能描述 | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
文件大小 |
181.45 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-16 12:00:00 |
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NP50P04KDG-E1-AY規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NP50P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
? Super low on-state resistance
RDS(on)1 = 10 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?25 A)
RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?25 A)
? Low input capacitance
Ciss = 5100 pF TYP.
產(chǎn)品屬性
- 型號:
NP50P04KDG-E1-AY
- 功能描述:
MOSFET P-CH -40V -50A TO-263
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
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詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
TO-252 |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC/Renesas |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
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NEC |
24+ |
NA/ |
1320 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
24+ |
TO263 |
7350 |
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RENESAS/瑞薩 |
22+ |
SOT-252 |
20000 |
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24+ |
N/A |
65000 |
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RENESAS |
24+ |
TO252 |
16900 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實單 |
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RENESAS/瑞薩 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
瑞薩全系列在售,終端可出樣品 |
詢價 |