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NESG2031M16中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NESG2031M16
廠商型號(hào)

NESG2031M16

功能描述

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

文件大小

119.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-22 22:30:00

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NESG2031M16規(guī)格書(shū)詳情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

FEATURES

? The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.8 dB TYP., Ga = 17.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.2 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 21.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NESG2031M16

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2031M16-A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
24+
SOT343
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢價(jià)
RENESAS
19+
SOT343
87069
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
詢價(jià)
NEC
17+
SOT343
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
NEC
24+
6-PINM
16200
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
24+
SOT-563
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
詢價(jià)
CEL
16+
SOT-523
15000
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠鋒牸鍙皥!
詢價(jià)
CEL
2025+
SOT-523
7695
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
CEL
2022+
SOT-523
20000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨.假一罰十
詢價(jià)
CEL
2022+
3 針 SuperMiniMold(M33)
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)