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NE3521M04-T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3521M04-T2
廠商型號(hào)

NE3521M04-T2

參數(shù)屬性

NE3521M04-T2 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

功能描述

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

414.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-24 15:14:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE3521M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    N 溝道 GaAs HJ-FET

  • 頻率:

    20GHz

  • 增益:

    11dB

  • 額定電流(安培):

    70mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.85dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 描述:

    IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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