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NE3521M04-T2-A

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3521M04-T2-A

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE3521M04-T2-A

Package：4-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

CEL

California Eastern Labs

NE3521M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

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N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

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N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

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N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

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產品屬性

  • 產品編號：

    NE3521M04-T2-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    N 溝道 GaAs HJ-FET

  • 頻率：

    20GHz

  • 增益：

    11dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數：

    0.85dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 描述：

    IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE3521M04-T2-A供應商 更新時間2025-7-24 11:26:00

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