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NAND02GW3B2DZA6E_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_IC FLASH 2GBIT 63VFBGA兆威電子02部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    ST

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    59

  • 產(chǎn)品封裝：

    BGA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-6-27 17:10:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：NAND02GW3B2DZA6E品牌：ST

原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • 芯片型號(hào)：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    NUMONYX詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    numonyx

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    69 頁(yè)

  • 文件大小：

    1810.88 kb

  • 資料說(shuō)明：

    2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 功能描述：

    IC FLASH 2GBIT 63VFBGA

  • RoHS：

    是

  • 類(lèi)別：

    集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品變化通告：

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    136

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲(chǔ)器：

    RAM

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲(chǔ)容量：

    18M（1M x 18）

  • 速度：

    200MHz

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 其它名稱(chēng)：

    71P71804S200BQ

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳兆威電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    鄭小姐

  • 手機(jī)：

    19926409052

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82532883

  • 傳真：

    0755-83203002

  • 地址：

    廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號(hào)城市山海中心C棟606-608

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