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MTW8N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTW8N60E/D

TMOSPOWERFET8.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=0.55OHM

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTW8N60ESLASHD

TMOSPOWERFET8.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=0.55OHM

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

NJ8N60

7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ8N60-BL

7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ8N60F-LI

7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ8N60-LI

7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

PJF8N60

600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PJP8N60

600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

RLF8N60CT

N-ChannelPowerMOSFET

Features RDS(ON)

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

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更多MT8N60C供應(yīng)商 更新時間2025-7-25 18:34:00

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