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RB717F

Schottkybarrierdiode

Features Highreliability Smallmoldtype Lowcapacitance Application Highspeedswitching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RB717F

SCHOTTKYBARRIERDIODE

FEATURES: PowerdissipationPD:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentIF:30mA Collector-basevoltageVR:40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

RB717F

SCHOTTKYBARRIERDIODE

FEATURES: LowVF,LowVR Highreliability

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

RB717F

30mASchottkyBarrierDiode40Volts

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Highreliability ?LowVFandLowIR ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?Marking:3E ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation)

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

RB717F

Schottkybarrierdiode

Features ●Smallmoldtype.(UMD3) ●Highreliability.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

RB717F

Schottkybarrierdiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RB717F

SchottkyBarrierDiode

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

RB717F

Schottkybarrierdiode

Features Highreliability Smallmoldtype Lowcapacitance Application Highspeedswitching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RB717F

SCHOTTKYBARRIERDIODE

SOT-323Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES: LowVF,LowVR Highreliability

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

RB717F

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MST717

  • 功能描述：

    很多開發(fā)者都對開發(fā)時間短，制成成本低的MST717,MST720系列芯片感興趣，但是目前對外公布的資料少之又少?，F(xiàn)在做基本介紹。又需要的聯(lián)系我！

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更多MST717供應商 更新時間2025-7-20 14:08:00

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