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SI4410BDY

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFETPowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?BatterySwitch ?LoadSwitch

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4410DY

SingleN-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thisdeviceiswellsuitedforlowvoltageandbattery

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SI4410DY

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: Si4410DYinSOT96-1(SO8). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS?technology. Applications ■DCtoDCconvertor

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

SI4410DY

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ??TrenchFETPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4410DY

HEXFETPowerMOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowon-resistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications TheSO-

IRF

International Rectifier

SI4410DY

N-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

SI4410DY

N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

SI4410DY-HF

N-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

SI4410DYPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-

IRF

International Rectifier

SI4410DYPBF

N-ChannelMOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MSD4410C

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    光電器件 > 顯示器模塊 - LED 字符與數(shù)字

  • 包裝：

    散裝

  • 字符數(shù)：

    2

  • 大小 / 尺寸：

    0.630" 高 x 0.795" 寬 x 0.276" 直徑（16.00mm x 20.20mm x 7.00mm）

  • 數(shù)字/字母大?。?/span>

    0.40"（10.16mm）

  • 顯示類(lèi)型：

    7 段

  • 通用引腳：

    共陽(yáng)極

  • 顏色：

    綠色

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    2.1V

  • 電流 - 測(cè)試：

    20mA

  • 毫燭光等級(jí)：

    2.2mcd

  • 波長(zhǎng) - 峰值：

    570nm

  • 功率耗散（最大值）：

    70mW

  • 封裝/外殼：

    16-DIP（0.500"，12.70mm）

  • 描述：

    DISPLAY 7SEG 0.4\

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Fairchild
24+
DIP
15000
詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
Fairchild
23+
16-DIP
33500
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存QQ:2987726803
 詢(xún)價(jià)
QTOPTOELECT
24+
原封裝
966
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
MSTAR
16+
BGA
2500
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢(xún)價(jià)
MSTAR
2016+
BGA
2500
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢(xún)價(jià)
MSTARA
24+
BGA
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
MSTARA
23+
BGA
8650
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!
 詢(xún)價(jià)
MSTARA
24+
BGA
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢(xún)價(jià)
MSTAR
24+
QFNBGA
10000
MSTAR原廠支持只做自己現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
更多MSD4410C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-20 13:30:00

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