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MRF8S9170NR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

920--960MHz,50WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom920to960MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerfor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF8S9170NR3

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF8S9170NR3_10

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MRF8S9170NR3

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHz 50W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MRF8S9170NR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-24 17:01:00

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