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MRF8S19260HR6

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAandmulticarrierbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle-Carrie

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

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更多MRF8S19260HR6供應(yīng)商 更新時間2025-6-28 16:03:00