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MRF8S18260HR6

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAandmulticarrierbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to1880MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--Car

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

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更多MRF8S18260HR6供應商 更新時間2025-6-26 16:55:00