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MRF587

HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON

TheRFLine NPNSiliconHigh-FrequencyTransistor ...designedforuseinhigh–gain,low–noise,ultra–linear,tunedandwidebandamplifiers.IdealforuseinCATV,MATV,andinstrumentationapplications. ?LowNoiseFigure— NF=3.0dB(Typ)@f=500MHz,IC=90mA ?HighPowerGain—

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF587

HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON

TheRFLine NPNSiliconHigh-FrequencyTransistor ...designedforuseinhigh–gain,low–noise,ultra–linear,tunedandwidebandamplifiers.IdealforuseinCATV,MATV,andinstrumentationapplications. ?LowNoiseFigure— NF=3.0dB(Typ)@f=500MHz,IC=90mA ?HighPowerGain—

MACOMTyco Electronics

瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司

MRF587

The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz

TheRFLineNPNSiliconHighFrequencyTransistor NoiseFigure3.0dB@500MHz Designedforuseinhigh–gain,low–noise,ultra–linear,tunedandwidebandamplifiers.IdealforuseinCATV,MATV,andinstrumentationapplications. ?Lownoisefigure— NF=3.0dB(typ.)@f=500MHz,IC=90

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

MRF587

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIMRF587isDesignedforHighLinearityPowerAmplifierApplicationsupto500MHz. FEATURES: ?PG=16dBTypicalat220W/500MHz ?LowNoiseFigure ?DiffusedBallastResistors ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

MRF587

Bipolar; ·Low Noise Figure: NF = 3.0 dB (typ.) @ f = 500 MHz, IC = 90 mA\n·Low Intermodulation Distortion: TB3 = –70 dB, DIN = 125 dB μV\n·High Power Gain: GU(max) = 16.5 dB (typ.) @ f = 500 MHz\n·All Gold Metal System\n·Ion Implanted\n·High fT — 5.5 GHz\n·Nichrome Emitter Ballast Resistors\n;

Designed for use in high–gain, low–noise, ultra–linear, tuned and wideband amplifiers. Ideal for use in CATV, MATV, and instrumentation applications.

MACOMTyco Electronics

瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司

MRF587

HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON;

恩XP

恩XP

MRF587

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR;

ETC

ETC

MRF587

The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

MRF587

Package：244A-01；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01

ETC

ETC

MRF587_15

The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF587

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    17V

  • 頻率 - 躍遷：

    5.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    3dB @ 0.5GHz

  • 增益：

    13dB

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    接線(xiàn)柱安裝

  • 封裝/外殼：

    244A-01

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    244A-01，STYLE 1

  • 描述：

    TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原廠(chǎng)渠道 可含稅出貨
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房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633
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更多MRF587供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 10:01:00

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