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MMG3003NT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Broadband High Linearity Amplifier

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3003NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurpose

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MMG3003NT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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MMG3003NT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology

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MMG3003NT1_08

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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Heterojunction Bipolar Transistor Technology

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    MMG3003NT1

  • 功能描述：

    射頻放大器 20DB 24DBM GEN PURP AMP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型：

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率：

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB：

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點：

    37.5 dBm

  • 功率增益類型：

    32 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.85 dB

  • 工作電源電壓：

    5 V

  • 電源電流：

    125 mA

  • 測試頻率：

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 封裝：

    Reel

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更多MMG3003NT1供應商 更新時間2025-5-30 10:20:00

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