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MGF65A4H

IGBT(內(nèi)置FRD)

MGF65A4H是650V Field Stop型Trench型IGBT。獨特的垂直溝道構(gòu)造減小了寄生容量。高速開關(guān)、可以實現(xiàn)開關(guān)損耗的降低。IGBT的低損耗有助于系統(tǒng)的高效率。; ?低飽和電壓?高速開關(guān)?FRD內(nèi)置?RoHS對應(yīng);

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

MGF65A4H

Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

MGF65A4H

Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

MGF65A4L

TrenchFieldStopIGBTswithFastRecoveryDiode

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

MGFS402405

科索
NA

科索

技術(shù)參數(shù)

  • 二極管內(nèi)置：

    YES

  • VCE：

    650V

  • IC(Tc=100℃)：

    40A

  • PD：

    288W

  • VCE(sat)(typ)：

    1.9V

  • VF(typ)：

    1.8V

  • trr(typ)：

    50ns

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MGF65A4H供應(yīng)商 更新時間2025-8-1 14:24:00

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