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MGF4953B

SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package

DESCRIPTION TheMGF4953Bsuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinKbandamplifiers. Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=20GHz NFmin.=0.55dB(Typ.) Highassociatedgain@f=20GHz

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MGF4953B

High Frequency Devices-GaAs High Frequency Devices Low Noise GaAs HEMTs MGF4953B;

MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MGF4953B_11

Low Noise GaAs HEMT

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MI4953

DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

MSC4953W

-30V(D-S)DualP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited

摩矽半導體摩矽半導體有限公司

MSI4953

DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Frequency Typ:

    20GHz

  • Drain-Source Voltage Typ:

    2V

  • Drain Current:

    10mA

  • Package:

    GF-55

  • Noise Figure:

    0.55(typ) 0.80(max)dB

  • Associated Gain:

    9.0(min) 10.5(typ)dB

  • RoHS Directive:

    2011/65/EU RoHS2 Compliant

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MGF4953B供應商 更新時間2025-7-30 19:27:00