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MBR8H100MFST3G分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

MBR8H100MFST3G
廠商型號

MBR8H100MFST3G

參數(shù)屬性

MBR8H100MFST3G 封裝/外殼為8-PowerTDFN,5 引線;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN

功能描述

Switch Mode Power Rectifiers
DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN

封裝外殼

8-PowerTDFN,5 引線

文件大小

334.77 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-23 11:15:00

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MBR8H100MFST3G規(guī)格書詳情

MBR8H100MFST3G屬于分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MBR8H100MFST3G二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

Features

? Low Power Loss / High Efficiency

? New Package Provides Capability of Inspection and Probe After

Board Mounting

? Guardring for Stress Protection

? Low Forward Voltage Drop

? 175°C Operating Junction Temperature

? WF Suffix for Products with Wettable Flanks

? NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These are Pb?Free Devices

Mechanical Characteristics:

? Case: Epoxy, Molded

? Epoxy Meets Flammability Rating UL 94?0 @ 0.125 in.

? Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)

? Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:

260°C Max. for 10 Seconds

? Device Meets MSL 1 Requirements

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MBR8H100MFST3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-PowerTDFN,5 引線

  • 供應商器件封裝:

    5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • 工作溫度 - 結:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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