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MUR20010CTR

SuperFastRecoveryDiode,200A

Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

MUR20010CTR

SiliconSuperFastRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF20010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MURT20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010R

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MURT20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MAX20010DATPR/V+T

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 穩(wěn)壓器 - DC-DC 開關(guān)穩(wěn)壓器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 功能：

    降壓

  • 輸出配置：

    正

  • 拓?fù)洌?/span>

    降壓

  • 輸出類型：

    可調(diào)式

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 電壓 - 輸入（最小值）：

    3V

  • 電壓 - 輸入（最大值）：

    5.5V

  • 電壓 - 輸出（最小值/固定）：

    0.9V

  • 電流 - 輸出：

    6A

  • 頻率 - 開關(guān)：

    2.2MHz

  • 同步整流器：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    20-WFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    20-TQFN（4x4）

  • 描述：

    5V, 6A, BUCK CONVERTER WITH I2C

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Maxim
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MAXIM/美信
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TQFN-20
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NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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MAXIM/美信
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TQFN-20
48000
只做原裝,原裝,假一罰十
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MAXIM
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TQFN-20
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更多MAX20010DATPR/V+T供應(yīng)商 更新時間2025-7-26 11:00:00

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